Differbetween
Ionenimplantation und Diffusion sind zwei Techniken, die bei der Herstellung von Halbleitern mit einigen anderen Materialien verwendet werden. Der Hauptunterschied zwischen Ionenimplantation und Diffusion besteht darin, dass die Ionenimplantation isotrop und sehr gerichtet ist, während die Diffusion isotrop ist und eine laterale Diffusion vorliegt.
- Warum die Ionenimplantation der Diffusion vorgezogen wird?
- Was ist mit Ionenimplantation gemeint??
- Was ist der Vorteil der Ionenimplantation??
- Warum nach der Ionenimplantation ein Tempern erforderlich ist?
- Was ist Ionenimplantation in Halbleiter??
- Was ist Tempern bei der Ionenimplantation??
- Was ist Ionenkanalisierung??
- Was ist Flammhärten und Ionenimplantation??
- Was enthält die Ionenquelle??
Warum die Ionenimplantation der Diffusion vorgezogen wird?
Wir haben gesehen, wie Dotierstoffe durch Diffusion ("Prädeposition" und "Drive-In") in einen Wafer eingebracht wurden. Die Ionenimplantation wird bevorzugt, weil: - eine kontrollierte, niedrige oder hohe Dosis eingeführt werden kann (1011 - 1018 cm & supmin; ²) - die Tiefe des Implantats kann gesteuert werden. Wird seit 1980 verwendet, trotz Substratschäden; geringer Durchsatz und niedrige Kosten.
Was ist mit Ionenimplantation gemeint??
Die Ionenimplantation ist ein Oberflächenbehandlungsprozess, bei dem Stickstoff- oder Kohlenstoffionen beschleunigt und dazu gebracht werden, die Oberfläche eines Bauteils zu durchdringen, um Verschleißfestigkeit zu verleihen. ... Mit diesem Ansatz kann ein hochenergetischer Ionenstrahl (50 bis 200 keV) auf die Bauteiloberfläche gerichtet werden.
Was ist der Vorteil der Ionenimplantation??
Zu den Vorteilen der Ionenimplantation gehört die Fähigkeit, praktisch jede Ionenspezies in jedes Substrat zu implantieren, wobei ein hohes Maß an Kontrolle über Ort (lateral und tief) und Zusammensetzung vorliegt.
...
Einführung.
| Vorteile | Einschränkungen |
|---|---|
| Sehr kontrollierbar und wiederholbar | Sichtlinienprozess |
Warum nach der Ionenimplantation ein Tempern erforderlich ist?
Während der Implantation werden die implantierten Dotierstoffe in das Silizium bombardiert, und dieser Prozess erzeugt Punktdefekte innerhalb des Gitters. ... Der Glühzustand hat einen großen Einfluss auf ionenimplantierte Solarzellen, da sie die Aktivierung und das Diffusionsprofil der ionenimplantierten Dotierstoffe steuern.
Was ist Ionenimplantation in Halbleiter??
Die Ionenimplantation ist ein Niedertemperaturprozess, bei dem Ionen eines Elements in ein festes Target beschleunigt werden, wodurch die physikalischen, chemischen oder elektrischen Eigenschaften des Targets verändert werden. Die Ionenimplantation wird in der Herstellung von Halbleiterbauelementen und in der Metallveredelung sowie in der materialwissenschaftlichen Forschung eingesetzt.
Was ist Tempern bei der Ionenimplantation??
Glühen von Ionenimplantatschäden. Glühen von Ionenimplantationsschäden. Bei der Ionenimplantation werden chemische Dotierstoffe in einem Substrat abgeschieden, indem das Substrat direkt mit hochenergetischen Ionen der abgeschiedenen Chemikalie beschossen wird.
Was ist Ionenkanalisierung??
Der Einfluss des Kristallgitters auf die Trajektorien von Ionen, die in den Kristall eindringen, wird als Channeling bezeichnet - ein Begriff, der die Atomreihen und -ebenen als Leitfäden darstellt, die energetische Ionen entlang der Kanäle zwischen Reihen und Ebenen steuern.
Was ist Flammhärten und Ionenimplantation??
Beim Induktionshärten werden induzierte elektrische Ströme verwendet, um sehr schnell Wärme über Hysterese zu erzeugen, üblicherweise in einem Werkstück aus Stahl mit mittlerem bis hohem Kohlenstoffgehalt. Beim Flammhärten werden das Werkstück mit Sauerstoffbrennern über Wärmeleitung erwärmt.
Was enthält die Ionenquelle??
Eine Ionenquelle ist ein Gerät, das atomare und molekulare Ionen erzeugt. Ionenquellen werden verwendet, um Ionen für Massenspektrometer, optische Emissionsspektrometer, Teilchenbeschleuniger, Ionenimplantatoren und Ionenmotoren zu bilden.
